Samsung retrasa sus chips de 1,4 nm a 2029: la litografía High-NA EUV no está lista para producción en masa
Samsung ha pospuesto dos años su nodo de 1,4 nanómetros, que ahora no llegará a producción hasta 2029, y reconoce que la litografía High-NA EUV que iba a impulsar su avance no está lista. El cambio de estrategia busca consolidar su proceso de 2 nm antes de dar el salto a tecnologías más complejas.
Un calendario que se desinfla: de 2027 a 2029
El ambicioso plan que Samsung presentó en 2024 prometía tener listos sus chips de 1,4 nm en 2027. Dos años después, el calendario se ha desplazado hasta 2029. La compañía no solo retrasa el nodo; también aplaza la introducción de los equipos de litografía High-NA EUV de ASML, que ahora quedan relegados al salto hacia 1 nm, previsto para 2030.
ChangMin Park, vicepresidente de tecnología en Samsung Electronics, explicó durante la conferencia Next-Generation Lithography + Patterning 2026 (NGL 2026), celebrada en Corea del Sur, que la tecnología aún no está madura. "Queríamos aplicar High-NA EUV a la producción en masa en procesos de 2 nm y 1,4 nm, entre otros, pero todavía necesita mejoras técnicas", declaró, en declaraciones recogidas por ZDNet Korea.
La decisión supone un giro respecto a la hoja de ruta anterior, en la que Samsung aspiraba a incorporar los equipos de ASML en sus instalaciones de forma mucho más temprana. Ahora, la compañía fija en 1 nm el punto donde la litografía High-NA se volverá imprescindible, y no antes.
El reto de trasladar la ventaja teórica a la fábrica
El problema no está en lo que la tecnología promete sobre el papel, sino en su comportamiento dentro de la cadena de producción. ASML asegura que su sistema EXE:5000 puede imprimir elementos 1,7 veces más pequeños, alcanzando una densidad 2,9 veces mayor que los equipos TWINSCAN NXE anteriores.
La cuestión, según Samsung, es que esa ventaja teórica todavía no se traduce en rendimientos viables en producción. "Creemos que High-NA EUV será necesario a partir de los 10 Å [1 nm] y por debajo, y estamos llevando a cabo desarrollos conjuntos con diversos socios", señaló Park.
La reducción del tamaño de los circuitos no depende únicamente del diseño de los transistores. Sin una litografía madura, los niveles de rendimiento por oblea caen y los costes se disparan. Esa es la razón de fondo del repliegue: introducir una tecnología inmadura en sus fábricas sería un error estratégico en un momento en que Samsung necesita recortar distancias con TSMC.
Un repliegue para exprimir los 2 nm y competir con TSMC
La competencia en el segmento de semiconductores de vanguardia es intensa. TSMC fabrica actualmente los procesadores A20 Pro para Apple, mientras que Samsung estrenó su proceso de 2 nm con el Exynos 2600, el SoC que equipa el Galaxy Z Flip8. Pero la mayor parte de los contratos siguen cayendo del lado del fabricante taiwanés.
Antes de experimentar con nuevos procesos, Samsung quiere consolidar su nodo de 2 nm: aumentar producción y mejorar el rendimiento por oblea. "Experimentar con nuevos procesos no parece ahora una buena estrategia", plantea la compañía, que prefiere asegurar el terreno antes de dar el salto.
La decisión también se produce en un contexto en el que China empuja con fuerza. SMIC, su principal fundición, avanza hacia los límites de la vanguardia, y en memoria HBM Samsung sigue liderando el mercado. El fabricante surcoreano necesita que su negocio de fundición gane atractivo, pero no a costa de estrenar tecnologías que aún no están listas para producción en masa.
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